⚙️ 高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术

国家技术发明奖 · 2025年 · 二等奖

📅 2025年 ⚙️ 国家技术发明奖 🏅 二等奖
奖项名称
⚙️ 国家技术发明奖
奖励等级
🏅 二等奖
获奖年份
📅 2025年
完成单位
🏢 暂无信息

📋 项目简介

高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术获2025年度国家技术发明奖(二等奖),完成人包括黎大兵、孙晓娟、蒋科、徐春阳、贲建伟。

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