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⚙️ 高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术
国家技术发明奖 · 2025年 · 二等奖
📅 2025年
⚙️ 国家技术发明奖
🏅 二等奖
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高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术
奖项名称
⚙️ 国家技术发明奖
奖励等级
🏅 二等奖
获奖年份
📅 2025年
完成单位
🏢 暂无信息
📋 项目简介
高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术获2025年度国家技术发明奖(二等奖),完成人包括黎大兵、孙晓娟、蒋科、徐春阳、贲建伟。
👥 主要完成人(共 6 人)
W
WU LIANG
2025年度国家技术发明奖二等奖获得者
孙
孙晓娟
2025年度国家技术发明奖二等奖获得者
徐春阳
济南军区原纪律检查委员会专职书记
年毕业于解放军高等军事学院
1925年生
蒋
蒋科
海南蒋氏始祖
1230年生
贲
贲建伟
2025年度国家技术发明奖二等奖获得者
黎大兵
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副所长
长春光学精密机械与物理研究所
1975年生
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