摘要：科学家在单晶金属原子级制造方面取得新进展在器件微缩逼近物理极限的进程中，金属电极单晶性日益凸显——晶界散射、原子失配及电势不均等微观效应正成为性能瓶颈。制备与半导体单晶结构相匹配的单晶金属，已成为突破接触限制的关键。红外科学与技术全国重点实验室褚君浩院士团队，联合复旦大学、湖南大学、新加坡国立大学等，在二维半导体表面直接制备出高质量单晶金属电极，有效解决了制约器件性能提升的界面接触难题，为未来电子…