余学功

基本信息

国籍：中国 民族：汉族 毕业院校：浙江大学、美国北卡州立大学、日本信州大学 主要成就：国家杰出青年基金获得者；求是特聘教授；2019年度国家技术发明奖二等奖

人物简介

余学功，浙江大学教授、博士生导师，硅及先进半导体材料全国重点实验室副主任，材料科学与工程学院副院长，国家杰出青年基金获得者。1995年至2004年就读于浙江大学材料科学与工程学系，获学士及工学博士学位，主攻半导体材料方向。2002年赴日本信州大学开展研究，2004年后先后在德国IHP微电子研究所、美国北卡州立大学从事科研工作。2009年回国任浙江大学副教授，2016年晋升教授，2021年入选求是特聘教授。长期致力于半导体晶体材料研究，主持国家自然科学基金、国家重点研发计划等十余项课题，作为主要完成人研发的“微量掺锗直拉硅单晶技术”获2019年度国家技术发明奖二等奖。发表SCI论文200余篇，授权发明专利30余项，多项成果实现产业化。

获奖记录

2019年获国家技术发明奖（二等奖）——微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用