📖 人物简介
施敏（Simon Sze），1936年生于中国南京，中国台湾工程师，浮栅MOS非挥发性存储器发明人，被誉为"闪存之父"。
🌟 主要成就
发明浮栅MOS存储器；2. 奠定闪存技术基础
📄 详细介绍
施敏1967年在贝尔实验室工作期间与同事共同发明了浮栅MOS（Floating Gate MOS），这是NAND Flash、NOR Flash等非挥发性存储器的核心技术。1998年当选台湾"中央研究院"院士。
📋 基本信息
所属机构
台湾交通大学
职务
教授
学历背景
台湾大学、华盛顿大学、斯坦福大学
出生日期
1936年
(约90岁)
国籍
中国
研究领域
非挥发性存储器
🏆 荣誉称号
中国台湾"中央研究院"院士美国国家工程院外籍院士IEEE电子器件协会终身成就奖
🏅 获奖记录
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