林本坚1942年出生于越南，在台湾长大，1963年毕业于台湾大学电机系，后赴美留学，在俄亥俄州立大学获得电机工程硕士和博士学位。1970年加入IBM，在IBM沃森研究中心从事光刻技术研究长达22年，是国际光刻技术领域最顶尖的专家之一。2000年，国际半导体技术路线图正面临干式光刻如何突破65nm节点的难题，业界普遍寄希望于波长157nm的F2激光光刻，但157nm光刻面临诸多材料和工程难题无法解决。林本坚在2002年国际光刻研讨会上正式提出了"浸润式光刻"方案：用水(折射率n=1.44)替代空气作为镜头和晶圆之间的介质，可以用当时已有的193nm ArF准分子激光器实现65nm甚至更小节点的光刻。这一方案最初遭到ASML和尼康等光刻机巨头的怀疑，但林本坚以严谨的计算和实验证明了其可行性。台积电在林本坚的力主下率先投入浸润式光刻研发，并力促ASML合作开发出全球第一台浸润式光刻机。浸润式光刻最终成为45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm乃至5nm节点的主流光刻技术，为摩尔定律延续了超过15年的生命。林本坚2000年加入台积电，担任研发副总经理，主导了多项关键制程技术的研发，是台积电技术崛起的关键功臣之一。