吴德馨1936年出生于北京，1961年毕业于清华大学无线电电子学系半导体专业，毕业后分配到中国科学院半导体研究所工作，1986年起任中国科学院微电子中心(现微电子研究所)主任、所长。她从事半导体器件和集成电路研究超过半个世纪，是中国早期硅平面工艺和MOS集成电路研发的核心参与者之一。1960年代，她参与了中国第一代硅平面晶体管和TTL集成电路的研制，攻克了氧化层针孔、光刻精度、掺杂均匀性等多项关键工艺难题。1970-80年代，她在国内率先开展4K位/16K位DRAM存储器的研发，探索了N沟道硅栅MOS工艺，推动了中国MOS存储器技术的发展。她在砷化镓(GaAs)微波器件、化合物半导体器件领域也做出了开创性工作，研制成功了中国第一批GaAs微波低噪声晶体管。1980-90年代，吴德馨领导中科院微电子中心的工艺研发，推动了1μm CMOS工艺技术的开发和试验线建设，为中国集成电路制造技术积累了宝贵经验。她还积极推动半导体工艺设备的国产化研发，关注半导体制造中的污染控制、超净技术等基础工程问题。吴德馨是中国集成电路产业发展战略研究的重要参与者，担任过多届国家科技重大专项01专项(核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品)的专家组成员，为中国半导体科技决策提供咨询。