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高鼎三

高鼎三 Gao Dingsan

中国工程院院士、半导体与光电子学专家
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对比

人物简介

高鼎三,半导体与光电子学专家,中国工程院院士,吉林大学教授。1914年7月出生于上海市。1941年毕业于西南联合大学,1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位。我国半导体事业开拓者之一,在国内首先研制成大功率整流器、三极管和砷化镓激光器。1995年当选中国工程院院士。

主要成就

长期从事半导体与光电子学研究
1941年毕业于西南联合大学,1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位
我国半导体事业开拓者之一,在国内首先研制成大功率整流器、三极管和砷化镓激光器
1995年当选中国工程院院士(信息与电子工程学部)

详细介绍

求学与工作经历

高鼎三,上海市人。1941年毕业于西南联合大学,1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位。他长期扎根在吉林大学,从事半导体与光电子学研究,任教授。

主要成就

我国半导体事业开拓者之一,在国内首先研制成大功率整流器、三极管和砷化镓激光器。他带领团队攻克关键核心技术,研究成果广泛应用于国家重大工程和人民健康事业,推动我国半导体与光电子学水平迈上新台阶。

荣誉与当选

1995年当选中国工程院院士(信息与电子工程学部),这是对他数十年科研攻关的高度肯定,也为我国半导体与光电子学事业发展作出了重要贡献。

人物评价

他一生严谨治学、甘于奉献,把论文写在祖国大地上,培养了大批优秀人才,是科技工作者学习的榜样。

基本信息

所属机构
吉林大学
职务
教授
学历背景
1941年毕业于西南联合大学,1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位
性别
男
出生日期
1914年7月24日
逝世日期
2002年6月13日
国籍
中国
研究领域
半导体光电子、半导体激光器、光电子集成

学科数据洞察

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同领域专家
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女性学者
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获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计,旨在为研究者提供学科视角的参考信息。

荣誉称号

1995年当选中国工程院院士(信息与电子工程学部)

知识图谱

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