人物简介
梁骏吾，半导体材料专家，中国工程院院士，中国科学院半导体研究所研究员。1933年9月出生于湖北省武汉市。1955年毕业于武汉大学，1960年获苏联科学院巴依可夫冶金研究所技术科学副博士学位。我国半导体材料研究开拓者之一，长期从事半导体材料制备与器件应用研究。1997年当选中国工程院院士。
主要成就
长期从事半导体材料研究
1955年毕业于武汉大学，1960年获苏联科学院巴依可夫冶金研究所技术科学副博士学位
我国半导体材料研究开拓者之一，长期从事半导体材料制备与器件应用研究
1997年当选中国工程院院士（信息与电子工程学部）
详细介绍
求学与工作经历
梁骏吾，湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获苏联科学院巴依可夫冶金研究所技术科学副博士学位。他长期扎根在中国科学院半导体研究所，从事半导体材料研究，任研究员。
主要成就
我国半导体材料研究开拓者之一，长期从事半导体材料制备与器件应用研究。他带领团队攻克关键核心技术，研究成果广泛应用于国家重大工程和人民健康事业，推动我国半导体材料水平迈上新台阶。
荣誉与当选
1997年当选中国工程院院士（信息与电子工程学部），这是对他数十年科研攻关的高度肯定，也为我国半导体材料事业发展作出了重要贡献。
人物评价
他一生严谨治学、甘于奉献，把论文写在祖国大地上，培养了大批优秀人才，是科技工作者学习的榜样。
基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
职务
研究员
学历背景
1955年毕业于武汉大学，1960年获苏联科学院巴依可夫冶金研究所技术科学副博士学位
性别
男
出生日期
1933年9月18日
逝世日期
2022年6月23日
国籍
中国
研究领域
半导体材料、硅单晶生长、半导体外延
学科数据洞察
1311+
同领域专家
68+
女性学者
1000+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
1997年当选中国工程院院士（信息与电子工程学部）
知识图谱
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