邹世昌1931年出生于上海，1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系，1953年赴苏联留学，在莫斯科有色金属学院学习半导体材料，1958年获得技术科学副博士学位，是新中国自己培养的第一批半导体材料专家。回国后进入中国科学院上海冶金陶瓷研究所(现上海微系统与信息技术研究所)工作，从此在该所耕耘超过半个世纪。1960-70年代，他率先在国内开展离子注入半导体掺杂技术研究，研制出中国第一台离子注入机，将离子注入技术应用于硅器件制造。离子注入是现代CMOS工艺最核心的掺杂技术，他的工作为中国集成电路制造技术进步做出了重要贡献。1980年代，他赴德国慕尼黑弗朗霍夫研究所做访问学者，回国后在国内开拓了SOI(绝缘体上硅)材料和器件研究方向。SOI材料在高速低功耗IC、抗辐射器件、MEMS等领域有重要应用，他领导团队突破了注氧隔离(SIMOX)和智能剥离(Smart-Cut)等SOI制备关键技术，建立了中国第一条SOI材料中试线，为中国SOI产业化奠定了基础。1990年代以后，他转向硅基光电子材料、金刚石薄膜、宽带隙半导体(碳化硅、氮化镓)等新材料领域，推动上海微系统所在这些前沿方向的布局。邹世昌1998年担任上海宏力半导体制造有限公司董事长，参与了中国第一条8英寸集成电路生产线的建设和运营，将科研成果转化为产业实践。他还担任上海市集成电路行业协会首任会长，为上海浦东张江半导体产业集群的发展做出了重要贡献。