王占国1938年出生于河南镇平，1962年毕业于南开大学物理系，毕业后分配到中国科学院半导体研究所工作至今。1980-1983年，他赴瑞典隆德大学固体物理系做访问学者，在国际著名深能级物理专家Lars Samuelson教授指导下从事深能级瞬态谱(DLTS)研究。回国后，他在国内率先建立了半导体深能级物理实验室，系统研究了硅、GaAs和其他化合物半导体中的深能级缺陷的物理本质、形成机理及其对器件性能的影响。他发展了深能级瞬态谱和光电容谱等多种测试方法，识别了硅中过渡金属杂质、GaAs中EL2缺陷和DX中心等多种关键深能级，为提高半导体材料质量和器件可靠性提供了重要理论指导。1990年代，王占国将研究方向拓展到低维半导体结构(量子阱、量子线、量子点)，特别是半导体自组织量子点材料的可控生长和物理性质。他领导团队在分子束外延(MBE)设备上实现了In(Ga)As/GaAs自组织量子点的可控尺寸和密度生长，研究了量子点中载流子的弛豫、复合、输运等量子效应，并开发了量子点激光器、量子点红外探测器等原型器件，这些工作使中国在该领域跻身国际先进水平。他还积极推动半导体照明、光伏电池材料、石墨烯等新材料方向的研究和产业化。王占国担任过半导体材料科学国家重点实验室主任、国家重点基础研究发展计划(973计划)"信息功能材料"项目首席科学家等职，在国内外重要学术期刊发表论文300余篇，培养了近百名博士和硕士。