彭练矛1962年出生于江西新余，1982年在北京大学无线电电子学系获得学士学位，1983年通过CUSPEA项目赴美国留学，1988年在亚利桑那州立大学获得物理学博士学位。1988-1990年在挪威奥斯陆大学做博士后，1990-1994年在英国牛津大学材料系工作，1994年回国加入中国科学院物理研究所，2000年转入北京大学电子学系任教。彭练矛早年从事电子显微学和准晶结构研究，是国际知名的电子显微学家。1990年代末，他敏锐地预见到碳纳米管在纳电子器件领域的巨大潜力，毅然转向碳纳米管电子器件研究，从零开始建设实验室。经过20余年的不懈努力，他的团队在碳纳米管器件和电路研究领域取得了一系列国际领先的成果：制备出了性能超越硅基MOSFET的碳纳米管晶体管(在5nm栅长下实现了优异的开关特性)；在国际上首次实现了碳纳米管基CMOS集成电路，包括5级环形振荡器、基本逻辑门、半加器等单元电路；解决了碳纳米管大规模集成中的材料和器件加工关键难题，包括高纯度半导体型碳管制备、高密度碳管平行排列、无掺杂CMOS技术等。2020年，他的团队在《科学》杂志发表论文，首次制备出了基于碳纳米管阵列的16位微处理器原型，这是世界上最复杂的碳纳米管集成电路，证明了碳基电子系统超越硅基的可能性。彭练矛被认为是全球碳基电子学领域最顶尖的科学家之一，他的工作使中国在碳基电子领域占据国际领先地位。他多次在国际电子器件会议(IEDM)、VLSI研讨会等顶级会议做邀请报告，是碳基芯片取代硅基芯片路线图的主要倡导者之一。