张荣1964年出生于江苏淮阴，1986年在南京大学物理系获得学士学位，1989年和1998年在南京大学分别获得凝聚态物理硕士和博士学位，毕业后留校任教。在南京大学期间，他在郑有炓教授指导下从事III族氮化物宽禁带半导体研究，是国内最早开展GaN半导体研究的青年学者之一。他系统研究了GaN外延层的生长动力学、缺陷控制和掺杂机理，发展了利用缓冲层插入层降低GaN位错密度的方法，在蓝宝石和硅衬底上生长出高质量GaN和AlGaN外延材料。他的团队研制出了国内最早的GaN基蓝光LED原型器件和GaN紫外探测器。张荣在GaN材料生长的热力学和动力学研究方面取得了理论突破，建立了氮化物MOCVD生长的表面反应模型，为优化GaN生长工艺提供了理论指导。他在宽禁带半导体领域发表论文300余篇，获得授权发明专利40余项。作为学术带头人，他推动南京大学在III族氮化物半导体领域形成了国际有影响力的研究团队。2000年后，张荣先后担任南京大学物理系主任、校长助理、江苏省光电信息功能材料重点实验室主任，2007年任南京大学副校长，2013年任山东大学校长，2022年任厦门大学校长。他在高校管理岗位上仍然坚持半导体研究，推动山东大学和厦门大学在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料和功率器件、射频器件方向的学科建设和产学研合作。他担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长，积极推动中国第三代半导体产业从材料生长、器件制备到应用的全链条协同创新。