人物简介
波兰裔美国物理学家和发明家，场效应晶体管(FET)概念最早专利持有者。1925-1928年在贝尔实验室之前就提出金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)原理并获美国专利，比实际MOSFET发明早30年，是半导体器件真正先驱。还发明电解电容器等。
主要成就
1925年最早提出场效应晶体管(MOSFET)原理专利;比MOSFET实际发明早30年;发明电解电容器;半导体器件真正先驱
详细介绍
朱利叶斯·利林费尔德1882年生于波兰利沃夫（当时属奥匈），在柏林大学获博士研究阴极射线和X射线，1921年移民美国。1925年他申请了一项美国专利（1926年获批），描述了通过施加垂直电场改变半导体薄层电导率来控制电流的器件——这就是场效应管(FET)原理！1928年又获得第二个MOS类结构专利。他的专利准确描述了MOSFET工作原理：栅极电压控制源漏之间导电沟道，正是现代所有计算机芯片（CPU、内存）中数十亿MOS管的工作方式。但当时半导体材料纯度不够无法制造，专利被遗忘。1947年贝尔实验室发明双极型晶体管(BJT)，1959年贝尔实验室的阿塔拉和江崎于男（Dawon Kahng）才实际做出第一个MOSFET——后来发现利林费尔德专利早已描述。如果当时有人按他的专利制造，晶体管历史可能提前20年。利林费尔德还发明电解电容器(1931)和X光透视管，他的FET专利证明远见超越时代。
基本信息
所属机构
利林费尔德实验室
职务
独立发明家
学历背景
柏林大学博士
出生日期
1882年
国籍
美国(波兰裔犹太)
研究领域
半导体器件、场效应管
学科数据洞察
500+
同领域专家
6+
女性学者
201+
获奖人数
同领域专家
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
美国国家发明家名人堂利林费尔德奖(美国物理学会)半导体工业先驱他的专利是半导体历史最具远见文件之一
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