朱利叶斯·利林费尔德1882年生于波兰利沃夫（当时属奥匈），在柏林大学获博士研究阴极射线和X射线，1921年移民美国。1925年他申请了一项美国专利（1926年获批），描述了通过施加垂直电场改变半导体薄层电导率来控制电流的器件——这就是场效应管(FET)原理！1928年又获得第二个MOS类结构专利。他的专利准确描述了MOSFET工作原理：栅极电压控制源漏之间导电沟道，正是现代所有计算机芯片（CPU、内存）中数十亿MOS管的工作方式。但当时半导体材料纯度不够无法制造，专利被遗忘。1947年贝尔实验室发明双极型晶体管(BJT)，1959年贝尔实验室的阿塔拉和江崎于男（Dawon Kahng）才实际做出第一个MOSFET——后来发现利林费尔德专利早已描述。如果当时有人按他的专利制造，晶体管历史可能提前20年。利林费尔德还发明电解电容器(1931)和X光透视管，他的FET专利证明远见超越时代。