李振荣

基本信息

国籍：中国

毕业院校：南京工业大学、西安交通大学

职业：教授、博士生导师

主要成就：获2015年国家自然科学奖二等奖、获中国专利金奖

人物简介

李振荣，女，西安交通大学电子与信息学部电子材料研究所教授、博士生导师，教育部“新世纪优秀人才培养计划”入选者。1989年获南京工业大学材料科学学士学位，1992年获该校硕士学位，1999年获西安交通大学微电子学与固体电子学博士学位。1992年起历任济南大学材料系助教、讲师，1998年起在西安交通大学电子材料研究所工作，历任讲师、副教授、教授，2002年赴葡萄牙阿威罗大学从事博士后研究。研究方向涵盖压电陶瓷与器件、铁电单晶与器件及宽禁带半导体材料。主持国家自然科学基金重大计划面上项目、国家863项目等科研课题，其参与的“弛豫铁电体的微畴-宏畴理论体系及其相关材料的高性能化”研究获2015年国家自然科学奖二等奖。发表SCI检索学术论文100余篇，2023年作为发明人之一获中国专利金奖。

获奖记录

2015年获国家自然科学奖（二等奖）——弛豫铁电体的微畴-宏畴理论体系及其相关材料的高性能化

人物经历

1989.7 获南京工业大学（原南京化工学院）材料科学学士学位

1992.3 获南京工业大学（原南京化工学院）材料科学硕士学位

1999.11 获西安交通大学微电子学与固体电子学博士学位

1992.4-1996.2，济南大学材料系，历任助教、讲师

1998.6-至今，西安交通大学电子材料研究所，历任讲师、副教授、教授

2002.12-2003.11，葡萄牙阿威罗大学博士后

主要成就

李振荣作为主要完成人之一，参与建立“弛豫铁电体的微畴-宏畴理论体系及其相关材料的高性能化”，该成果获2015年国家自然科学奖二等奖。

作为发明人之一，其专利“一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法”（专利号：zl201710414718.9）获得第二十四届中国专利金奖。

主要作品

李振荣是专利“一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法”（专利号：zl201710414718.9）的发明人之一，该专利于2023年获第二十四届中国专利金奖。

研究领域

（1）宽禁带半导体GaN体单晶生长

（2）高性能压电单晶生长

社会生活

2018年7月9日，应济南大学邀请，李振荣作了题为“高性能弛豫铁电单晶及其单晶超声器件的研究”的学术报告。报告介绍了弛豫铁电单晶的生长、性能、畴结构及器件研制等内容，并提及了其曾在该校工作的经历。

项目成果

作为主持人承担了总装预研重点基金、总装预研项目、国家自然科学基金、中俄国际合作项目、教育部博士点基金项目、军方863项目、陕西省国际合作项目等；作为研究骨干承担了科技部973、863项目、国家自然科学基金委金砖国家科技合作项目等。

在高性能弛豫铁电单晶研究方面，拥有了坩埚下降法生长大尺寸弛豫铁电单晶生长技术，实现了直径3英寸高性能弛豫铁电单晶的小批量生产，为水声超声器件的研制提供了保障。已经具有了直径5英寸弛豫铁电单晶的生长能力。研制出单晶超声马达和单晶加速度计。设计并研制出用于宽禁带半导体GaN单晶生长的高温高压设备，采用助熔剂液相外延技术实现了GaN单晶的生长。发表SCI检索学术论文100余篇，获得国家授权发明专利4项。