霍宗亮

基本信息

国籍：中国 民族：汉族 主要成就：新型半导体存储技术

人物简介

霍宗亮，中国科学院微电子研究所研究员，长江存储首席科学家。2003年于北京大学获微电子学与固体电子学专业博士学位。1994年至2003年就读于北京大学，获微电子学与固体电子学本、硕、博学位。霍宗亮曾任韩国三星电子公司半导体研发中心高级工程师（2003-2010）、中国科学院微电子研究所博士生导师及中科新芯三维存储器研发中心主任。2014年加入武汉新芯后转入长江存储科技有限责任公司，主导32/64/128/2YY层3D NAND闪存技术的研发与量产。作为“02重大专项新型存储技术研究”首席科学家，在《IEEE Electron Device Letters》等期刊发表论文百余篇，申请国内外专利五百余项。研究成果获中国科学院杰出科技成果奖（2014）、集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖（2018）等荣誉。曾在国际学术会议上作"三维闪存行业现状与技术创新"等主题报告。

获奖记录

2017年获国家技术发明奖（二等奖）——22-14纳米集成电路器件工艺先导技术