罗海辉

基本信息

主要成就：2019年国家技术发明奖二等奖、省部级科技奖5项、发明专利100余项

人物简介

罗海辉毕业于中国科学院，获博士学位。自2019年起在株洲中车时代半导体有限公司任职，历任常务副总经理兼研发中心主任，后升任总经理。截至2025年，他担任株洲中车时代半导体有限公司总经理、董事，并兼任宜兴中车时代半导体有限公司执行董事。自2022年起，担任湖南工业大学轨道交通学院校外研究生导师。他于2021年获“湖南省优秀共产党员”称号，当时担任株洲中车时代半导体有限公司党总支书记、常务副总经理，并在2023年10月当选湖南省半导体行业协会副会长。作为中国中车首席技术专家，罗海辉长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，主导高功率容量压接式IGBT及新能源用功率半导体器件的研发。带领团队构建了全电压系列IGBT产品技术平台，为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。其参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排...

获奖记录

2019年获国家技术发明奖（二等奖）——高压大电流IGBT芯片关键技术及应用

资料来源

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