人物简介
莫尔顿·肯(Morton Kahn),美国工程师。研究方向:半导体/存储器。主要成就:SRAM 存储器。荣誉:—。在半导体材料与器件方面取得重要突破。
主要成就
SRAM 存储器
详细介绍
莫尔顿·肯(Morton Kahn),美国工程师。研究方向:半导体/存储器。主要成就:SRAM 存储器。荣誉:—。在半导体材料与器件方面取得重要突破。 —。 代表成果:SRAM 存储器。
基本信息
所属机构
英特尔
职务
研究员
学历背景
—
出生日期
1926年
国籍
美国
研究领域
半导体/存储器
学科数据洞察
108+
同领域专家
82岁
领域平均年龄
5+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计,旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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