人物简介
台积电CTO，BSIM模型发明人。他开发的BSIM模型是晶体管建模的世界标准，覆盖95%以上的芯片模拟工作。他被誉为"现代芯片模型之父"。
主要成就
BSIM模型;台积电技术规划;半导体器件建模;国家技术奖章
详细介绍
胡正明1947年生于中国台湾，1970年获斯坦福大学电气工程博士。1976年加入加州大学伯克利分校任教授。1980年代他带领团队开发了BSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)模型，成为芯片工业的世界标准。2001年台积电创始人张忠谋邀请他担任台积电CTO。他主导了台积电的技术路线规划，包括从130nm、65nm到7nm、5nm的每一代工艺节点。2024年他卸任CTO后任台积电技术长。2020年获美国国家技术奖章。
基本信息
所属机构
台积电
职务
CTO
学历背景
斯坦福大学博士
出生日期
1947年
国籍
中国台湾
研究领域
半导体
学科数据洞察
108+
同领域专家
82岁
领域平均年龄
5+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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