人物简介
1937 年生，IBM 托马斯·沃森研究中心研究员。1966 年发明 DRAM(动态随机存取存储器)。2018 年获美国国家技术奖章。
主要成就
DRAM 存储器;IBM 研究员;美国国家技术奖章
详细介绍
Robert H. Dennard 1937 年生于美国俄克拉荷马州，1958 年本科毕业于凯斯西储大学，1963 年获 Carnegie Mellon 大学电气工程博士学位。他是 IBM 托马斯·沃森研究中心研究员、DRAM 的发明人。1966 年他在 IBM 发明了单晶体管 DRAM(1T-DRAM)，用一个晶体管存储一位信息，大幅提高了存储密度，成为现代计算机内存的基础。1990 年获 IEEE 荣誉奖章。2009 年入选美国国家发明家名人堂。2018 年获美国总统奥巴马颁发的美国国家技术奖章。他在 IBM 工作了 50 多年。
基本信息
所属机构
IBM
职务
研究员
学历背景
凯斯西储大学博士
出生日期
1937年
国籍
美国
研究领域
DRAM 存储器
学科数据洞察
108+
同领域专家
82岁
领域平均年龄
5+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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