人物简介
奥匈裔美国物理学家，1925-28年最早提出MOS场效应管结构并申请专利，比贝尔实验室发明点接触晶体管早20年，是MOSFET真正思想先驱。
主要成就
1925年最早提出场效应管MOSFET专利;发明电解电容器;MOSFET思想先驱
详细介绍
利林菲尔德1882年生于奥匈帝国今波兰，莱比锡博士1921移民美国，1925年加拿大申请专利提出通过电场控制半导体导电性放大信号，就是MOSFET原理1926/1928年美国专利详细描述结构材料，因为当时没有超纯半导体材料无法实现直到1959年贝尔实验室阿塔拉和江大元才做出第一个MOSFET，专利在1960年代被广泛引用。利林菲尔德还发明电解电容器，1963去世。美国物理学会设利林菲尔德奖纪念他。
基本信息
所属机构
美国
职务
发明家
学历背景
莱比锡大学博士
出生日期
1882年
国籍
奥匈/美国
研究领域
场效应晶体管、半导体器件
学科数据洞察
500+
同领域专家
6+
女性学者
201+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
美国物理学会利林菲尔德奖发明家名人堂
知识图谱
加载中...
相关人物
马丁·库帕
手机发明者、移动电话之父
孙元章
中国电力系统专家
陈关荣
香港城市大学讲座教授
黄仁勋
NVIDIA创始人、GPU之父
虞仁荣
韦尔股份/豪威科技创始人、国产CIS图像传感器龙头
致敬留言