人物简介

秦国刚，2001年当选中国科学院院士，半导体杂质缺陷、硅基发光、半导体材料领域专家。秦国刚，1934年生，江苏苏州人，中国科学院院士，半导体物理学家。1957年毕业于北京大学物理系，长期从事半导体物理、固体物理研究，在薄膜物理、半导体材料、表面物理等方面取得重要成果。 这些科学家为我国科学技术事业的发展做出了卓越贡献，他们的学术成就和爱国精神将激励一代代科技工作者不断攀登科学高峰，为实现中华民族伟大复兴的中国梦而努力奋斗。 他们的研究成果在国内外学术界产生了重要影响，推动了相关学科的发展和进步，为人类文明做出了宝贵贡献。

现任北京大学 教授、院士。

教育背景

北京大学物理。 秦国刚于2001年当选中国科学院院士，是我国半导体杂质缺陷、硅基发光、半导体材料领域的杰出学者。

主要成就

1．半导体杂质缺陷物理；2．硅基发光；3．纳米硅。

秦国刚在半导体杂质缺陷、硅基发光、半导体材料领域开展了系统性、开创性研究，取得了一系列重要成果，为推动学科发展和国家科技进步做出了突出贡献。

荣誉奖项

中国科学院院士;国家自然科学奖，2001年当选中国科学院院士

人物评价

秦国刚是中国科学院院士，在半导体杂质缺陷、硅基发光、半导体材料领域做出了重要贡献。作为中国半导体材料和半导体光电子专家，其科研成果在学术界和产业界产生了重要影响，培养了大批优秀科研人才，为我国科技事业发展做出了卓越贡献。