📖 人物简介
梁春广(1939.02.01-2003.05.27)半导体器件专家。广东省梅县人。1961年毕业于中山大学。60年代在锗高频管和硅MOSFET研制中作出贡献,做为参加者荣获全国科学大会奖。
70年代作为主要负责人研制成功我国第一代GaAs FET,在全面的器件参数、结构和工艺设计,解决亚微米删制作难题等方面作出突出贡献,获1985年国家科技进步奖一等奖。
1986~1987年在德国研制“分子束外延超晶格场效应器件”,提出了最佳材料和器件结构及非合金欧姆接触法等。1988年至今一直承担领导砷化镓超高速电路、电子电子器件、光电子器件及光电集成等多项国家重点科技项目,并荣获国家科技进步奖。
🌟 主要成就
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📄 详细介绍
梁春广(1939.02.01—2003.05.27),广东梅县人,中国半导体物理与器件专家,中国工程院院士。
1954年入读梅县高级中学;1957年考入中山大学;1961年毕业于中山大学物理系,被分配到电子部第十三研究所工作,先后担任第十三所第一研究室技术员、课题组长,第一研究室主任、教授级高级工程师、副总工程师、科技委主任、研究所副所长;1995年当选中国工程院院士;1997年当选为中国共产党第十五次全国代表大会代表。
📋 基本信息
所属机构
中国电子科技集团
职务
研究员
学历背景
博士研究生学历
出生日期
1939年
(约87岁)
国籍
中国
研究领域
信息与电子工程学部