郑有炓1935年出生于福建大田，1957年毕业于南京大学物理学系，毕业后留校任教，在南京大学物理系和电子科学与工程学院从事半导体物理教学与科研工作超过60年。1950-60年代，他参与了南京大学锗、硅等元素半导体材料和器件的早期研究工作，1970年代末开始研究化合物半导体异质结构。1980年代中期，郑有炓敏锐地意识到宽禁带半导体在光电子和高温高频功率器件领域的巨大潜力，在国内较早地开展了GaN基III族氮化物半导体研究，是中国氮化镓研究的先驱之一。他领导团队在蓝宝石衬底上生长出高质量GaN外延层，研究了GaN的n型和p型掺杂、InGaN/GaN多量子阱结构、GaN基蓝光LED结构等关键问题，为中国蓝光LED和氮化镓功率器件的发展奠定了重要技术基础。他还率先在国内开展了ZnO(氧化锌)紫外光电子材料研究，开发了ZnO p型掺杂和ZnO基紫外探测器、发光二极管。进入21世纪，郑有炓积极推动中国第三代半导体(碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化镓Ga2O3)的研究和产业化，担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟名誉理事长，为中国在射频功放、电力电子、快充充电器、新能源汽车逆变器等第三代半导体应用领域追赶国际先进水平做出了贡献。他培养了100多名研究生，许多成为中国第三代半导体领域的学术和产业骨干。