屠海令

基本信息

国籍：中国

民族：汉族

出生地：北京市

出生日期：1946年10月

毕业院校：英国巴斯大学

职业：教育科研工作者

代表作品：《新材料产业培育与发展研究报告》

主要成就：中国专利奖、中国有色金属工业科学技术奖 一等奖、国家科学技术进步奖 二等奖、北京市科学技术进步奖 一等奖、何梁何利科学与技术成就奖

人物简介

屠海令，1946年10月5日出生于北京市，电子材料专家，中国工程院院士，北京有色金属研究总院名誉院长。屠海令于1969年从天津大学精仪系自动化专业毕业；1970年至1971年担任天津第三半导体器件厂试制组技术员；1971年至1978年担任天津半导体技术研究所硅研究室组长、室主任；1979年赴英国留学；1983年获得英国巴斯大学博士学位；1984年至1990年担任北京有色金属研究总院硅半导体材料研究室组长、主任；1990年至1996年担任北京有色金属研究总院副院长；1991年担任半导体材料国家工程研究中心管委会主任；1994年至1995年担任美国北卡罗莱纳州立大学半导体材料专业高级访问学者；1996年至2009年担任北京有色金属研究总院院长；1999年至2009年担任有研半导体材料股份有限公司董事长；2006年担任北京有色金属研究总院科技委员会主任；2009年至2018年担任北京有色金属研究...

获奖记录

2009年获国家科学技术进步奖（二等奖）——稀有金属材料

　项目完成人：屠海令、何季麟、张廷安、李劼、卢惠民、彭建平、陈维平、杨斌

2005年获国家科学技术进步奖（二等奖）——重掺砷硅单晶及抛光片

　项目完成人：屠海令、周旗钢、王敬、方峰、万关良、张果虎、常青、李铁柱、刘斌、戴小林

　主要完成单位：北京有色金属研究总院、有研半导体材料股份有限公司、国泰半导体材料有限公司

　推荐单位：北京市

人物经历

1946年10月5日，屠海令出生于北京市。

1964年9月—1969年8月，就读于天津大学精仪系自动化专业，毕业并获得学士学位。

1970年8月—1971年8月，担任天津第三半导体器件厂试制组技术员。

1971年8月—1978年9月，担任天津半导体技术研究所硅研究室组长、室主任。

1978年9月—1979年12月，就读于北京有色金属研究总院半导体材料专业研究生。

1979年12月—1983年12月，就读于英国巴斯大学（University of Bath）半导体材料物理专业，毕业并获得博士学位。

1984年3月—1987年，担任北京有色金属研究总院硅半导体材料研究室组长。

1987年—1990年，担任北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室主任。

1990年—1996年，担任北京有色金属研究总院副院长。

1991年，担任半导体材料国家工程研究中心管委会主任。

1994年11月—1995年7月，担任美国北卡罗莱纳州立大学（North Carolina State University）半导体材料专业高级访问学者。

1996年，担任中韩新材料合作中心主任。

1996年7月—2009年4月，担任北京有色金属研究总院院长。

1999年2月—2009年5月，担任有研半导体材料股份有限公司董事长。

2006年4月，担任北京有色金属研究总院科技委员会主任。

2009年5月—2018年，担任北京有色金属研究总院名誉院长。

2007年12月，当选为中国工程院院士。

2010年6月，担任中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任。

2014年1月—2015年12月，担任中国煤炭科工集团有限公司外部董事。

主要成就

屠海令领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目，形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。

根据2022年8月中国工程院网站显示，屠海令先后发表论文280多篇，出版著作9部。

根据2022年8月中国工程院网站显示，屠海令先后获得国家级、省部级科技进步奖16项，授权专利44项。

根据2022年8月何梁何利基金网站显示，屠海令先后指导和培养了14名博士、硕士研究生，并让一批年轻人承担重要课题，使他们逐步成长为中国半导体材料领域的青年学术带头人。

人物评价

屠海令为（北京市）西城区经济社会发展作出了积极贡献。（时任北京市西城区委副书记张立新评）