Morris Young 1931 年生于美国，1954 年本科毕业于斯坦福大学，1960 年获斯坦福大学电子工程博士学位。他是 IBM 研究中心资深研究员、MOSFET 技术的核心先驱之一。1965 年他与 Robert Dennard 合作深入研究了 MOSFET 的缩放(scaling) 理论，为摩尔定律的实际应用奠定了基础。他在 IBM 工作了 40 余年，领导了多个半导体工艺节点的研发。2005 年获 IEEE 半导体科学与技术奖。2015 年入选美国国家发明家名人堂。他在 IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics 发表论文 80 余篇。