Chenming Hu 1947 年生于北京，1964 年移居美国，1968 年本科毕业于加州大学伯克利分校物理系，1973 年获 Berkeley 电子工程博士学位。他是 UC Berkeley 电子工程与计算机科学系教授、BSIM 模型创立者。1987 年他领导开发了 BSIM(伯克利短沟道 IGFET 模型)，成为全球芯片产业的标准模型，被所有主要半导体公司采用。1999 年他提出"FinFET"(鳍式场效应晶体管) 概念，是 22nm 以下工艺的关键技术。2000 年当选美国国家工程院院士。2011 年获 IEEE 荣誉奖章。他在 IEEE Electron Device Letters 发表论文 100 余篇，Google Scholar 引用超 2 万次。