Tsung-Ming Lu 1962 年生于中国台湾，1985 年本科毕业于台湾交通大学电子工程系，1990 年获台湾交大博士学位。他是台湾交通大学电子工程系教授、半导体可靠性物理实验室主任。研究方向为 MOSFET 老化机理、NBTI(负偏压温度不稳定) 和 TDDB(时间依赖介质击穿)。2018 年获 IEEE 可靠性物理与工程奖。2020 年当选台湾工程院院士。他在 IEEE TED、TDMR 发表论文 80 余篇。他担任过 IRPS 2017 程序主席。