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Dov Frohman-Bentchkowsky
Dov Frohman-Bentchkowsky Dov Frohman
以色列裔美国工程师、EPROM 发明人
💡 EPROM、存储器 🌍 美国(以色列裔) 📅 1939 📂 芯片半导体 👁 23925 次浏览

📖 人物简介

1939 年生,英特尔研究员。1971 年发明 EPROM(可擦可编程只读存储器)。2000 年获 IEEE 电子器件成就奖。

🌟 主要成就

EPROM 存储器;英特尔以色列设计中心;IEEE 电子器件成就奖

📄 详细介绍

Dov Frohman-Bentchkowsky 1939 年生于以色列,1963 年本科毕业于加州大学伯克利分校,1969 年获 UC Berkeley 电气工程博士学位。他是英特尔研究员、EPROM(可擦可编程只读存储器) 的发明人。1971 年他在英特尔发明了第一个商用 EPROM(型号 2107),用紫外线擦除、电写入,开创了非易失性存储器产业。他还开发了第一个 LISP 微处理器。1974 年他在以色列创立了英特尔设计中心(IDCI)。2000 年获 IEEE 电子器件成就奖。他是 IEEE Fellow。在英特尔工作了 40 年。

📋 基本信息

所属机构
英特尔
职务
研究员
学历背景
加州大学伯克利分校博士

🏆 荣誉称号

IEEE FellowIEEE 电子器件成就奖英特尔资深研究员
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