John Atalla 1924 年生于埃及开罗，1945 年本科毕业于开罗大学，1947 年获开罗大学博士学位。他是贝尔实验室研究员、MOSFET 的共同发明人。1959 年他与韩国裔同事 Dawon Kahng 在贝尔实验室发明了 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，这是现代芯片的基础器件。2003 年这一发明被纳入美国国家发明家名人堂。1990 年获 IEEE 半导体科学与技术奖。1992 年去世。他还研究了热电子发射、太阳能电池、铁电存储等。