王曦，1966年8月生于上海市，材料科学家，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，中国科学院院士。籍贯江苏南通。1987年毕业于清华大学工程物理系核材料科学专业，1990年、1993年先后获中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）材料物理硕士、博士学位。

主要成就

长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。自主开发SOI（绝缘体上硅）材料产业化关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。2013年推动12英寸大硅片研发，2016年国内第一根12英寸高质量晶棒诞生，为我国摆脱大尺寸硅片进口依赖迈出关键一步。

主要荣誉

2009年12月当选中国科学院院士（技术科学部）。曾获国家科技进步一等奖、中国科学院杰出科技成就奖、中国科学院自然科学奖三等奖、上海市科技进步奖一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖等。