人物简介
穆罕默德·阿塔拉（Mohamed Atalla），1924年生于埃及，埃及裔美国工程师，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）发明人。
主要成就
发明MOSFET；2. 奠定现代数字电路基础；3. 推动CMOS工艺发展
详细介绍
阿塔拉1947年获开罗大学学士，1950年获斯坦福大学博士。1956年加入贝尔实验室。1959年与郑兆荪（Dawon Kahng）共同发明了MOSFET，这是现代数字集成电路的核心器件。MOSFET成为当今绝大多数芯片的基础。
基本信息
所属机构
贝尔实验室
职务
MOSFET发明人
学历背景
开罗大学、斯坦福大学
出生日期
1924年
国籍
美国
研究领域
MOS半导体
学科数据洞察
111+
同领域专家
5+
获奖人数
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
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