夏建白1939年出生于上海，1962年毕业于北京大学物理系，同年考取本校研究生，师从著名固体物理学家黄昆教授，1965年研究生毕业。毕业后曾在西南物理研究院、二机部585所工作，1978年调入中国科学院半导体研究所，回到半导体理论研究领域。夏建白在半导体超晶格和低维量子体系的电子态理论方面有精深的造诣。1980年代，他提出了半导体超晶格的空穴子带理论，解决了当时国际上关于超晶格空穴有效质量张量的疑难问题，发展了一套适合于半导体超晶格和量子阱的有效质量包络函数理论方法，被国际同行称为"夏-黄(黄昆)理论"或"夏-朱(朱邦芬)方法"。他与黄昆、朱邦芬合作，系统地发展了半导体超晶格的电子态和声子模理论，提出了超晶格中光学声子的连续介质模型，正确解释了超晶格中拉曼散射的实验结果。1990年代，夏建白进一步研究了半导体量子线、量子点的电子结构，发展了量子点的经验赝势方法和紧束缚方法，研究了量子点中的激子效应、斯塔克效应和自旋弛豫。他提出的环形量子点量子比特方案在固态量子计算领域引起了国际关注。他还在稀磁半导体、拓扑绝缘体等新兴方向做出了理论贡献。夏建白的理论工作与实验结合紧密，多项理论预言被国内外实验证实。他与黄昆、朱邦芬合著的《半导体超晶格物理》是该领域的经典专著，获得国家图书奖和全国优秀科技图书奖。他在国内外核心期刊发表论文200余篇，培养了数十名理论物理学方向的研究生。夏建白学风严谨、为人谦和，是中国半导体理论界的一面旗帜。