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龙世兵

龙世兵

中国科学院微电子研究所研究员
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人物简介

中国科学院微电子研究所研究员

详细介绍

基本信息

国籍:中国 毕业院校:北京科技大学、中国科学院微电子研究所 职业:科学家

人物简介

龙世兵,中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授,博士生导师。1995年9月至2002年3月在北京科技大学先后获应用物理学士、材料物理与化学硕士学位,2005年获中国科学院微电子研究所微电子学与固体电子学博士学位。2005-2018年在中国科学院微电子研究所历任助理研究员、副研究员、研究员,2018年起任中国科学技术大学教授,2019年起任执行院长。长期从事宽禁带半导体功率电子器件、紫外探测器和存储器研究,在氧化镓功率器件领域主持研制出耐高压2.66 kV的NiO/Ga₂O₃异质结二极管和阈值电压0.9 V的增强型场效应晶体管。发表SCI论文100余篇,授权发明专利63项,其中9项专利转移至中芯国际。以第四完成人获2016年国家自然科学奖二等奖,以第三完成人获2018年中国科学院杰出科技成就奖。担任北京电子学会半导体专业委员会委员兼秘书,主持国家自然科学基金、国家重点研发计划课题等科研项目...

获奖记录

2013年获国家技术发明奖(二等奖)——高精度微纳结构掩模制造核心技术

基本信息

所属机构
中国科学院微电子研究所

知识图谱

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