Dawon Kahng 1931 年生于韩国汉城(现首尔)，1955 年本科毕业于汉城大学，1959 年获俄亥俄大学电气工程博士学位。他是贝尔实验室研究员、MOSFET 的共同发明人。1959 年他与 John Atalla 在贝尔实验室成功演示了第一个工作的 MOSFET 器件(用金做栅极)。这一发明开启了现代集成电路时代。他还参与了浮置栅极存储器(Flash 的原型) 的早期研究。1992 年去世。2009 年被追授 IEEE 电子器件终身成就奖。