人物简介
美国功率半导体工程师，1970年代中期发明功率MOSFET结构VMOS/DMOS，1980年代IGBT绝缘栅双极型晶体管，是电力电子变频变流核心器件。
主要成就
发明DMOS功率MOSFET;IGBT发明者;电力电子核心器件;新能源汽车高铁核心
详细介绍
博义1960年代在摩托罗拉研究功率器件，1976年国际整流器IR商业化DMOS功率MOSFET，1982年发明IGBT：MOS控制双极器件输入阻抗高导通压降低结合两者优点，现在IGBT是高铁变频器新能源汽车充电桩光伏逆变器核心器件处理兆瓦级电力，没有IGBT就没有高铁和电动汽车。
基本信息
头衔：功率MOSFET和IGBT发明者
所在单位：摩托罗拉、IR
研究领域：功率半导体、MOSFET、IGBT
职务职称：研究员
学历：博士
出生年份：1940
人才/学科类别：电子与通信工程
基本信息
所属机构
摩托罗拉、IR
职务
研究员
学历背景
博士
出生日期
1940年
国籍
美国
研究领域
功率半导体、MOSFET、IGBT
学科数据洞察
500+
同领域专家
6+
女性学者
201+
获奖人数
同领域专家
*以上数据由科技人编辑部基于公开数据库统计，旨在为研究者提供学科视角的参考信息。
荣誉称号
美国国家工程院院士IEEE电力电子学会先驱奖发明家名人堂
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