科技人物
探索改变世界的科技领袖与创新者
共收录 6508 位杰出科学家
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张忠模
Zhang Zhongmo
中国工程师
张忠模(Zhang Zhongmo)，中国工程师。研究方向：集成电路。主要成就：1. 集成电路研究。荣誉：中国工程院院士。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
2009年当选中国工
小林诚
Makoto Kobayashi
日本物理学家
小林诚(Makoto Kobayashi)，日本物理学家。研究方向：半导体。主要成就：1. 半导体研究。荣誉：日本学士院院士。在半导体材料与器件方面取得重要突破。
日本学士院院士
江崎玲於奈
Leo Esaki
日本物理学家，隧道二极管发明人
江崎玲於奈（Leo Esaki），1940年生于日本大阪，日本物理学家，隧道二极管发明人，1973年诺贝尔物理学奖得主。
诺贝尔物理学奖
保罗·魏尔伦
Paul Verlaine
荷兰科学家
保罗·魏尔伦(Paul Verlaine)，荷兰科学家。研究方向：半导体光刻。主要成就：1. ASML联合创始人、2. EUV光刻技术先驱。荣誉：美国国家工程院外籍院士。在半导体材料与器件方面取得重要突破。
美国国家工程院外籍院
欧文·雅各布斯
Irwin Jacobs
美国工程师，高通公司创始人
欧文·雅各布斯(Irwin Jacobs)，美国工程师，高通公司创始人。研究方向：CDMA通信。主要成就：1. 创办高通公司。荣誉：美国国家工程院院士。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
美国国家工程院院士
安德鲁·维特比
Andrew Viterbi
美国工程师，高通公司创始人
安德鲁·维特比（Andrew Viterbi），1935年生于美国，高通公司联合创始人，CDMA技术奠基人。
美国国家工程院院士
魏少军
Wei Shaojun
中国半导体工程师
魏少军，1957年生，2019年当选中国科学院院士。1982年毕业于北京大学无线电系，1985年获清华大学博士学位。清华大学微纳电子学系教授。魏少军长期从事集成电路设计方法论研究，发展了新的片上网络设计方法，提出了一系列高性能低功耗芯片设计
中国科学院院士
杨士宁
Yang Shining
中国半导体工程师
杨士宁(Yang Shining)，中国半导体工程师。研究方向：集成电路设计。主要成就：1. 创办芯原股份、2. 推动国内IP产业发展。荣誉：IEEE高级会员。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
IEEE高级会员
王小谟
Wang Xiaomo
中国雷达专家
王小谟(Wang Xiaomo)，中国雷达专家。研究方向：雷达与电子。主要成就：1. 中国雷达事业奠基人、2. 国家最高科学技术奖得主。荣誉：国家最高科学技术奖，中国工程院院士。在电子信息领域取得重要突破。
国家最高科学技术奖
童志鹏
Tong Zhipeng
中国电子工程师
童志鹏(Tong Zhipeng)，中国电子工程师。研究方向：电子工程。主要成就：1. 电子工程研究。荣誉：中国工程院院士。在电子信息领域取得重要突破。
中国工程院院士
夏道行
Xia Daoxing
中国数学家
夏道行，1980年当选中国科学院院士。中国科学院教授。长期从事数学研究研究。该院士在相关学科领域取得了一系列重要研究成果，为推动我国科学技术事业发展做出了卓越贡献。
中国科学院院士
罗沛霖
Luo Peilin
中国电子学家
罗沛霖（1913-2011），中国科学院学部委员（院士），中国电子学奠基人之一。生于天津，1935年毕业于清华大学，1938年获美国加利福尼亚理工学院博士学位。长期从事无线电电子学、信息论和电子工程研究，是中国半导体科学和计算机事业的开拓者
1995年当选中国工
朱敏
Zhu Min
中国工程师
朱敏，1965年生，宁夏银川人，古脊椎动物学家，中国科学院院士。1984年毕业于北京大学地质系，1990年获中国科学院古脊椎动物与古人类研究所博士学位。现任中国科学院古脊椎动物与古人类研究所研究员。朱敏主要从事早期脊椎动物与古鱼类研究，在硬
中国科学院院士
查尔斯·汤斯
Charles Townes
美国物理学家，激光理论奠基人
查尔斯·汤斯（Charles Townes），1915年生于美国南卡罗来纳州，美国物理学家，激光理论奠基人，1964年诺贝尔物理学奖得主。
诺贝尔物理学奖
阿瑟·肖洛
Arthur Schawlow
美国物理学家，激光理论奠基人
阿瑟·肖洛（Arthur Schawlow），1921年生于美国纽约，美国物理学家，激光理论奠基人，1981年诺贝尔物理学奖得主。
诺贝尔物理学奖
梅曼
Theodore Maiman
美国物理学家，激光器发明人
西奥多·梅曼（Theodore Maiman），1927年生于美国洛杉矶，美国物理学家，世界上第一台激光器发明人。
美国国家科学院院士
戈登·蒂尔
Gordon Teal
美国工程师，硅晶体管发明人
戈登·蒂尔(Gordon Teal)，美国工程师，硅晶体管发明人。研究方向：硅半导体。主要成就：1. 发明硅晶体管、2. 推动硅半导体产业发展。荣誉：美国国家工程院院士。在半导体材料与器件方面取得重要突破。
美国国家工程院院士
郑兆荪
Dawon Kahng
韩国物理学家，MOSFET共同发明人
郑兆荪（Dawon Kahng），1931年生于韩国，韩国裔美国物理学家，MOSFET共同发明人。
美国国家科学院院士
穆罕默德·阿塔拉
Mohamed Atalla
埃及工程师，MOSFET发明人
穆罕默德·阿塔拉（Mohamed Atalla），1924年生于埃及，埃及裔美国工程师，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）发明人。
美国国家科学院院士