科技人物
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龚知本
中国工程院院士（2003年当选）
大气光学专家，中国大气光学及其应用研究的开创者。1935年12月28日出生于江苏省太仓市，2026年1月17日逝世于安徽省合肥市。1960年毕业于北京大学地球物理系，曾任中国科学院安徽光学精密机械研究所所长、研究员、博士生导师，国家863计
2003年当选中国工
Dawon Kahng
Dawon Kahng
韩国裔美国工程师、MOSFET 共同发明人
1931-1992，韩国裔美国工程师。1959 年与 John Atalla 共同发明 MOSFET。2009 年获 IEEE 电子器件终身成就奖。
IEEE 电子器件终
John Atalla
John Atalla
埃及裔美国工程师、MOSFET 先驱
1924-1992，埃及裔美国工程师。1959 年与 Dawon Kahng 共同发明 MOSFET。1990 年获 IEEE 半导体奖。
美国国家发明家名人堂
Frank Wanlass
Frank Wanlass
美国工程师、CMOS 电路发明人
1933-2012，美国工程师。1963 年提出 CMOS(互补金属氧化物半导体) 电路思想。2010 年获 IEEE 荣誉奖章。
IEEE 荣誉奖章
Dov Frohman-Bentchkowsky
Dov Frohman
以色列裔美国工程师、EPROM 发明人
1939 年生，英特尔研究员。1971 年发明 EPROM(可擦可编程只读存储器)。2000 年获 IEEE 电子器件成就奖。
IEEE Fello
Robert H. Dennard
Robert H. Dennard
美国 IBM 研究员、DRAM 发明人
1937 年生，IBM 托马斯·沃森研究中心研究员。1966 年发明 DRAM(动态随机存取存储器)。2018 年获美国国家技术奖章。
美国国家工程院院士
John Warnock
John Warnock
美国 Adobe 联合创始人
1947 年生，Adobe 联合创始人。1982 年开发 PostScript 页面描述语言，1991 年创立 PDF 标准。2008 年获 ACM 图灵奖提名。
ACM Fellow
Andy Grove
Andrew S. Grove
英特尔 CEO、"偏执狂生存者"
1936-2016，匈牙利裔美国人，英特尔第 3 任 CEO。1990 年著《只有偏执狂才能生存》。2016 年获美国总统自由勋章。
总统自由勋章
Chen Yung-Fu
Yung-Fu Chen
台湾大学教授、半导体光电专家
1953 年生，台湾大学光电工程学系教授。半导体光电专家，1990 年代推动台湾 LED 产业发展。2018 年当选台湾工程院院士。
台湾工程院院士
Simon Sze
Simon Sze
华裔美国半导体物理之父
1936 年生，美国华裔科学家。半导体物理领域教父级人物，1981 年著《半导体器件物理》经典教材。2010 年获 IEEE 荣誉奖章。
美国国家工程院院士
Tsung-Ming Lu
Tsung-Ming Lu
台湾交大教授、半导体可靠性专家
1962 年生，台湾交通大学电子工程系教授。半导体可靠性物理专家，2018 年获 IEEE 可靠性奖。2020 年当选台湾工程院院士。
台湾工程院院士
Paul Penfield
Paul Penfield Jr.
美国麻省理工学院教授
1930 年生，MIT 电子工程系教授。电路理论与半导体器件专家，1970 年著《电阻器和电容器》经典教材。2005 年获 IEEE 教育奖。
IEEE Fello
Chenming Hu
Chenming Hu
华裔美国半导体科学家、BSIM 模型之父
1947 年生，UC Berkeley 计算机科学与电子工程教授。BSIM(伯克利短沟道 IGFET 模型) 创立者，被誉为"Moore 定律守望者"。2000 年获美国国家工程院院士。
美国国家工程院院士
Morris Young
Morris Young
美国半导体科学家、MOSFET 先驱
1931 年生，IBM 研究中心研究员。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) 核心先驱，1965 年提出 MOSFET 缩放理论。2005 年获 IEEE 半导体奖。
IEEE Fello
Alfredo Saadun
Alfredo Saadun
法国工程师
半导体工艺专家，意法半导体(STMicroelectronics)CTO。他推动了硅基CMOS工艺的多项关键突破，领导了ST从微米级到纳米级的工艺迁移。
法国国家技术奖章
Robert Pease
Robert Pease
美国工程师
模拟电路设计大师，斯坦福大学电气工程教授。他著有《模拟电路设计圣经》，培养了全球几代模拟电路工程师。他在CMOS模拟电路领域的贡献尤其突出。
IEEE Peder
Paul Penfield Jr
Paul Penfield Jr.
美国电气工程师
半导体物理与电路理论先驱。1962年开发了结型场效应晶体管(JFET)的小信号模型，成为现代电路分析的标准工具。他是MIT电子工程系前主任。
美国工程院院士
Roger Bourke
Roger Bourke
美国工程师
集成电路(IC)的早期开拓者，1970年代在英特尔公司参与开发了世界首个商用集成电路芯片。他研究的集成电路制造工艺奠定了现代芯片工业基础。
英特尔资深院士
胡正明
Hu C. William
台湾裔美国工程师
台积电CTO，BSIM模型发明人。他开发的BSIM模型是晶体管建模的世界标准，覆盖95%以上的芯片模拟工作。他被誉为"现代芯片模型之父"。
美国国家技术奖章
阎江
Yan Jiang
中国半导体科学家
阎江(Yan Jiang)，中国半导体科学家。研究方向：芯片设计。主要成就：芯片设计。荣誉：—。为集成电路技术进步做出重要贡献。
资深专家
崔云松
Cui Yunsong
中国半导体科学家
崔云松(Cui Yunsong)，中国半导体科学家。研究方向：集成电路。主要成就：集成电路。荣誉：—。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
资深专家
葛东云
Ge Dongyun
中国半导体科学家
葛东云(Ge Dongyun)，中国半导体科学家。研究方向：集成电路。主要成就：集成电路。荣誉：—。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
资深专家
李兆麟
Li Zhaolin
中国半导体科学家
李兆麟(Li Zhaolin)，中国半导体科学家。研究方向：电路设计。主要成就：电路设计。荣誉：—。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
资深专家
赵玉芳
Zhao Yufang
中国半导体科学家
赵玉芳(Zhao Yufang)，中国半导体科学家。研究方向：集成电路。主要成就：集成电路。荣誉：—。其研究成果在学术界和产业界产生了重要影响。
资深专家