殷华湘

基本信息

国籍：中国 民族：汉族 毕业院校：天津大学、中国科学院微电子研究所 主要成就：获2017年国家技术发明二等奖、持有中美韩发明专利130余项

人物简介

殷华湘，中国科学院微电子研究所研究员，现任先导工艺研发中心（十室）副主任、微电子器件和集成技术重点实验室副主任，兼任所学术委员会和学位委员会委员。1996年获天津大学半导体器件与物理专业学士学位，2003年获中国科学院微电子研究所博士学位，2003-2010年在韩国三星电子任高级研究员。其研究方向聚焦纳米级半导体器件，主持16纳米硅基三维器件集成、5nm堆叠纳米线环栅器件等国家级项目。获2017年国家技术发明二等奖（排名第4），持有中美韩发明专利130余项，在IEDM会议发表论文6篇。

获奖记录

2017年获国家技术发明奖（二等奖）——22-14纳米集成电路器件工艺先导技术