科技人物
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吴德馨
Wu Dexin
中科院微电子所前所长、半导体器件专家
吴德馨，1936年生，江苏苏州人，中国科学院院士。1961年清华大学半导体专业毕业，分配至中科院半导体所工作。曾任中科院半导体所研究员。吴德馨长期从事半导体器件与集成电路研究，在硅基MOSFET、SOI器件、新型半导体材料等领域做出重要贡献
中国科学院院士(19
李志坚
Li Zhijian
清华大学教授、微电子学研究所创始人
李志坚，1991年当选中国科学院院士。中国科学院教授。该院士在相关学科领域取得了一系列重要研究成果，为推动我国科学技术事业发展做出了卓越贡献。
中国科学院院士(19
刘德音
Mark Dein Liu
台积电(TSMC)董事长
刘德音是全球晶圆代工龙头台积电(TSMC)的董事长，是台积电先进制程技术发展的关键领导者。他在半导体制造领域深耕超过30年，带领台积电成功实现从28nm到3nm各技术节点的全球领先，使台积电成为全球半导体制造的绝对霸主。
美国国家工程院外籍院
蔡明介
Ming-Kai Tsai
联发科(MediaTek)董事长兼创始人
蔡明介是台湾IC设计产业的标杆人物，联发科(MediaTek)的创始人，被誉为"山寨机之父"和"手机芯片教父"。他带领联发科从光存储芯片厂商转型为全球顶尖的手机SoC供应商，对中国大陆功能机和智能手机普及做出了巨大贡献。
IEEE Fello
费德里科·法金
Federico Faggin
微处理器先驱、Zilog创始人
费德里科·法金是世界上第一颗商用微处理器Intel 4004的核心设计师，他发明的硅栅MOS(Silicon Gate)工艺是现代MOS集成电路的基础工艺。他还创立了Zilog公司并设计了著名的Z80微处理器，对微处理器产业的诞生和发展有不
美国国家工程院院士
伯尼·迈耶森
Bernard S. Meyerson
IBM院士、硅锗技术先驱
伯尼·迈耶森是硅锗(SiGe)半导体技术的发明者和产业化先驱，他开发的低温外延生长工艺使SiGe异质结双极晶体管(HBT)得以大规模量产，为射频通信芯片和高速模拟芯片带来了革命性进步。他是IBM历史上最年轻的IBM Fellow之一。
美国国家工程院院士
亨利·萨姆埃利
Henry Samueli
博通(Broadcom)联合创始人、UCLA教授
亨利·萨姆埃利是全球通信芯片巨头博通(Broadcom)的联合创始人兼首席技术官，他发明了用CMOS工艺实现射频前端的关键技术，将宽带通信芯片集成度大幅提升。博通在有线/无线通信芯片领域长期占据全球领先地位。
美国国家工程院院士
罗伯特·考尔比
Robert P. Colwell
英特尔首席CPU架构师、Pentium Pro设计师
罗伯特·考尔比是英特尔P6微架构(Pentium Pro/Pentium II/Pentium III)的主架构师，被公认为x86处理器历史上最杰出的微架构设计师之一。他领导的P6架构是英特尔现代高性能x86处理器的基石，深刻影响了Core
美国国家工程院院士
马克·博尔
Mark T. Bohr
英特尔院士、制程技术领军者
马克·博尔是英特尔公司最顶尖的制程技术专家之一，作为英特尔院士(Intel Fellow)，他是Intel从1μm节点到14nm节点多代CMOS制程技术的核心领军人物，领导了高K金属栅(HKMG)、三栅晶体管(FinFET)等关键技术的研发
IEEE Fello
阿尔贝托·乔瓦尼-文森蒂
Alberto L. Sangiovanni-Vincentelli
加州大学伯克利分校教授、EDA先驱
阿尔贝托·乔瓦尼-文森蒂是全球EDA领域最具影响力的学术泰斗，Cadence和Synopsys两大EDA巨头的共同奠基人。他在电路仿真、布局布线、软硬件协同设计等方面的研究奠定了现代EDA的理论基础，培养了EDA行业半壁江山的人才。
美国国家工程院院士
阿特·德吉亚斯
Aart J. de Geus
新思科技(Synopsys)创始人兼CEO
阿特·德吉亚斯是全球EDA(电子设计自动化)产业的传奇人物，新思科技的创始人。他在逻辑综合领域的开创性工作使得芯片设计从手工绘制电路图跃迁到硬件描述语言自动综合，是现代数字芯片设计流程的奠基者之一。
美国国家工程院院士
林本坚
Burn J. Lin
台积电研发前副总裁、浸润式光刻之父
林本坚是浸润式光刻技术(Immersion Lithography)的发明者，这一技术突破了传统干式光刻的分辨率极限，使得摩尔定律得以从65nm节点继续推进到7nm及以下，对全球半导体制程进步做出了决定性贡献。
美国国家工程院院士
中村修二
Shuji Nakamura
加州大学圣巴巴拉分校教授、蓝光LED发明者
中村修二是蓝光LED和高亮度蓝光LED的独立发明者，开发了量产化的GaN蓝光LED工艺，因"发明高效蓝光LED带来了明亮节能的白光光源"与赤崎勇、天野浩共同获得2014年诺贝尔物理学奖。他被称为"中村"，是当代最具影响力的半导体科学家之一。
2014年诺贝尔物理
天野浩
Hiroshi Amano
名古屋大学教授、蓝光LED共同发明人
天野浩是蓝光LED的共同发明人，与导师赤崎勇合作攻克了氮化镓p型掺杂的世界性难题，为高亮度蓝光LED的实现做出了关键性贡献。2014年与赤崎勇、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖。
2014年诺贝尔物理
赤崎勇
Isamu Akasaki
名古屋大学/名城大学教授、蓝光LED之父
赤崎勇是蓝光发光二极管(LED)的发明者之一，与天野浩、中村修二共同获得2014年诺贝尔物理学奖。他在氮化镓(GaN)材料生长和p型掺杂方面的突破，使得高效蓝光LED成为可能，开启了半导体照明革命。
2014年诺贝尔物理
西泽润一
Jun-ichi Nishizawa
日本东北大学校长、日本半导体之父
西泽润一被誉为"日本半导体之父"，是日本战后半导体研究的开拓者。他发明了PIN二极管、静电感应晶体管(SIT/SIThy)、光纤通信的早期概念等，对日本半导体产业和光电子产业的建立做出了奠基性贡献。
日本学士院院士
萨支唐
Chih-Tang Sah
佛罗里达大学教授、MOS器件先驱
萨支唐，中国科学院院士。中国科学院教授。该院士在相关学科领域取得了一系列重要研究成果，为推动我国科学技术事业发展做出了卓越贡献。
美国国家工程院院士
罗伯特·登纳德
Robert H. Dennard
IBM院士、DRAM发明者
罗伯特·登纳德是单晶体管动态随机存储器(DRAM)的发明者，也是著名的登纳德缩放定律(Dennard Scaling)的提出者。他的发明彻底改变了计算机存储架构，DRAM至今仍是所有计算机主存的标准技术。
美国国家工程院院士
让·霍尔尼
Jean A. Hoerni
平面工艺发明者、仙童八叛逆之一
让·霍尔尼是半导体历史上最关键的工艺发明者之一，平面工艺(Planar Process)的发明者。作为仙童八叛逆之一，他发明的平面工艺解决了晶体管制造的可靠性问题，是所有现代集成电路制造的基础工艺技术。
美国国家工程院院士
卡弗·米德
Carver A. Mead
加州理工学院教授、VLSI设计先驱
卡弗·米德是超大规模集成电路(VLSI)设计领域的奠基人之一，被誉为"VLSI之父"。他在加州理工学院任教超过40年，提出了MOSFET缩放理论，培养了大批芯片设计人才，对现代半导体设计方法论产生了深远影响。
美国国家工程院院士
肯尼斯·奥尔森
Kenneth Olsen
美国企业家，DEC创始人
肯尼斯·奥尔森（Kenneth Olsen），1926年生于美国，DEC（数字设备公司）创始人，小型计算机之父。
美国国家工程院院士
小托马斯·沃森
Thomas Watson Jr.
美国企业家，IBM第二代总裁
小托马斯·沃森（Thomas Watson Jr.），1914年生于美国，IBM第二代总裁，大型计算机时代缔造者。
美国国家工程院院士
汤姆·沃森
Tom Watson
美国企业家，IBM创始人
汤姆·沃森(Tom Watson)，美国企业家，IBM创始人。研究方向：计算机与半导体。主要成就：1. 创办IBM、2. 计算机产业奠基人。荣誉：美国国家发明家名人堂。在半导体材料与器件方面取得重要突破。
美国国家发明家名人堂
陈芳允
Chen Fangyun
中国电子学家
陈芳允（1916-2000），浙江黄岩人，中国科学院学部委员（院士），无线电电子学家。1938年毕业于清华大学物理系，长期从事无线电电子学、空间电子学研究，是中国卫星测控技术的奠基人之一，1955年当选中国科学院学部委员。 这些科学家为我国
中国科学院院士