科技人物
探索改变世界的科技领袖与创新者
共收录 6508 位杰出科学家
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🧬 生命与健康
⚡ 能源与材料
🌾 环境与农业
保罗·欧德宁
Paul Otellini
英特尔前CEO
保罗·欧德宁是英特尔公司历史上第五位CEO，带领英特尔在PC鼎盛时期实现了辉煌增长。
美国艺术与科学院院士
克雷格·巴雷特
Craig Barrett
英特尔前CEO
克雷格·巴雷特是英特尔公司前CEO，在任期间带领英特尔在微处理器时代持续保持行业领先地位。
美国国家工程院院士
吉姆·凯勒
Jim Keller
传奇芯片架构师
吉姆·凯勒是全球最具传奇色彩的芯片架构师之一，曾主导AMD Zen、Apple A4/A5、特斯拉自动驾驶芯片等多款经典芯片架构设计。
芯片架构领域传奇人物
克里斯·马拉科夫斯基
Chris Malachowsky
NVIDIA联合创始人
克里斯·马拉科夫斯基是NVIDIA联合创始人之一，GPU技术的重要奠基人，在图形处理器硬件设计方面做出了关键贡献。
计算机图形和GPU技
朱一明
Zhu Yiming
长鑫存储创始人、CEO
朱一明是长鑫存储创始人，带领团队成功实现中国DRAM芯片自主量产，打破国外垄断。
中国半导体行业领军人
高启全
Charles Kau
存储芯片专家、长江存储前CEO
高启全是全球存储芯片领域的资深专家，曾担任长江存储CEO，推动中国3D NAND闪存技术发展。
存储芯片领域资深专家
桑杰·梅赫罗特拉
Sanjay Mehrotra
闪迪联合创始人、美光科技CEO
桑杰·梅赫罗特拉是闪迪（SanDisk）联合创始人，现任美光科技CEO，是全球半导体存储行业的重要领军人物。
IEEE Fello
舛冈富士雄
Fujio Masuoka
Flash存储器发明者
舛冈富士雄是日本著名半导体科学家，闪存（Flash Memory）的发明者，为半导体存储技术发展做出了革命性贡献。
IEEE Fello
理查德·张平
Richard Zhang
ASML中国区前总裁
理查德·张平（张平）曾任ASML中国区总裁，在半导体设备行业拥有丰富经验，推动了ASML在中国市场的发展。
半导体设备行业资深经
汉斯·克斯汀
Herman Kusters
光刻机先驱、ASML早期核心工程师
汉斯·克斯汀是ASML公司早期发展的关键人物，在光刻机技术研发和商业化方面做出了重要贡献。
半导体设备行业资深专
吴子宁
Wu Zining
华大九天董事长
吴子宁是华大九天现任董事长，长期深耕EDA领域，带领华大九天成为国内EDA龙头企业。
中国半导体行业领军人
黄炎松
Paul Huang
华大九天创始人、中国EDA先驱
黄炎松是中国EDA领域的先驱人物，华大九天的主要创始人，为中国自主EDA产业发展做出了重要贡献。
中国半导体行业贡献人
Aart de Geus
Aart J. de Geus
EDA教父、Synopsys创始人
Aart de Geus是电子设计自动化(EDA)领域的传奇人物，Synopsys公司的联合创始人，被誉为"EDA教父"。
IEEE Fello
朱邦芬
Zhu Bangfen
清华大学教授、半导体物理学家
朱邦芬，1948年生，上海人，中国科学院院士。1970年清华大学物理系毕业，1981年获清华大学博士学位。曾任清华大学物理系主任。朱邦芬长期从事凝聚态物理研究，在半导体物理、低维材料物理等领域取得重要成果，与黄昆先生合作提出"黄—朱模型"，
中国科学院院士(20
张荣
Zhang Rong
厦门大学/山东大学教授、宽禁带半导体专家
张荣，1964年生，江苏启东人，物理学家，中国科学院院士。1986年毕业于南京大学物理系，1993年获南京大学博士学位。现任南京大学副校长。张荣主要从事凝聚态物理研究，在半导体物理、低维材料等领域取得重要成果。
中国科学院院士(20
彭练矛
Peng Lianmao
北京大学教授、碳基电子学专家
彭练矛，1962年生，2017年当选中国科学院院士。1983年毕业于北京大学无线电系，1988年获北京大学博士学位。北京大学物理学院教授。彭练矛主要从事碳基电子学研究，在碳纳米管、石墨烯等碳基材料与器件研究领域取得了系统性成果，发展了高性能
中国科学院院士(20
李树深
Li Shushen
中科院副院长、半导体光电子器件专家
李树深，2021年当选中国科学院院士。中国科学院教授。该院士在相关学科领域取得了一系列重要研究成果，为推动我国科学技术事业发展做出了卓越贡献。
中国科学院院士(20
夏建白
Xia Jianbai
中科院半导体所研究员、半导体物理专家
夏建白，1939年生，江苏苏州人，半导体物理学家，中国科学院院士。1965年毕业于北京大学物理系。曾任中国科学院半导体研究所研究员。夏建白长期从事半导体物理研究，在低维半导体物理、自旋电子学等领域做出系统性贡献，2007年当选中国科学院院士
中国科学院院士(20
王占国
Wang Zhanguo
中科院半导体所研究员、半导体材料物理专家
王占国，中国科学院院士，半导体材料物理学家。1938年生于河南镇平，1964年毕业于北京大学物理系。长期从事半导体材料、低维半导体、光电子材料研究，曾任中国科学院半导体研究所研究员。在GaAs、InP等III-V族半导体材料研究领域做出重要
中国科学院院士(19
郑有炓
Zheng Youliao
南京大学教授、第三代半导体材料专家
郑有炓，1935年生，江苏江宁人，2003年当选中国科学院院士。1956年毕业于南京大学物理系。南京大学物理学院教授。郑有炓主要从事半导体物理与器件研究，在低维半导体、半导体异质结、纳米电子学等领域取得了系统性成果，发展了低维半导体的新理论
中国科学院院士(20
邹世昌
Zou Shichang
中科院上海微系统所研究员、半导体材料与离子注入专家
邹世昌，中国科学院院士，材料学家。1931年生于江苏太仓，1952年毕业于交通大学化工系，1955年获中科院冶金陶瓷研究所硕士学位。长期从事半导体材料、离子注入研究，曾任中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。是中国离子注入技术开拓者，
中国工程院院士(19
梁骏吾
Liang Junwu
中科院半导体所研究员、半导体材料专家
梁骏吾（1933年9月18日—2022年6月23日），出生于湖北省武汉市，中国工程院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人。1955年从武汉大学物理专业毕业；1956年—1960
中国工程院院士(19
汤定元
Tang Dingyuan
中科院上海技术物理所研究员、红外物理奠基人
汤定元，1980年当选中国科学院院士。中国科学院教授。该院士在相关学科领域取得了一系列重要研究成果，为推动我国科学技术事业发展做出了卓越贡献。
中国科学院院士(19
高鼎三
Gao Dingsan
吉林大学教授、半导体光电子学开拓者
高鼎三是中国半导体光电子学的开拓者和奠基人之一，在吉林大学创建了中国高校最早的半导体光电子专业。他在半导体激光器、发光二极管、光电子集成等领域的研究，为中国光通信和光电子产业奠定了人才和技术基础。
中国工程院院士(19